INTRODUCTION

 傳統的E類放大器能夠有較大的放大率,但遇到較大的輸入信號時會造成放大器燒毀。為解決此問題,我們設計了將兩顆相同的電晶體進行CASCODE,再將兩顆已經CASCAODE的電晶體進行並聯,以達到較大的輸出功率。


Fig. 1


Fig. 2


Fig. 3


Fig. 4


Fig. 5

心得感想

根據我們的設計,在supply voltage為2.4V下,藉由gate bias固定在MOSFET的threshold voltage以下,class E amplifier可以得到output端saturation power 20.962dB、PAE41.165%、power gain 17.101dB,相較於傳統規格,能夠較使用單一電晶體的狀況承受更高的supply voltage,且透過並聯兩組cascode MOSFET得到較高的output power。